5月5日消息，三星、SK 海力士、美光全球三大存储巨头已全面启动DDR6 下一代内存联合研发，携手基板厂商推进样品试制与性能验证，新一轮内存标准竞赛正式拉开帷幕。
据供应链业内人士透露，三大厂商已向合作基板企业下达 DDR6 前期开发需求，目前初期工程样品已制作完成，进入功能测试阶段。按照行业惯例，内存厂商通常会在新品上市两年以上提前布局研发，此次 DDR6 研发启动节奏较以往有所提前。
规格方面，当前主流 DDR5 内存最高速率为 8.4Gbps，而 DDR6 成熟后峰值速率可达17.6Gbps，性能实现近乎翻倍提升。不过高速率也带来新挑战，信号完整性、功耗控制以及基板高密度布线设计，成为现阶段核心研发难点。目前 JEDEC 仅发布 DDR6 标准初稿，接口规格、厚度参数等细节仍在多方协调敲定中，各大厂商都力争将自家方案纳入官方标准，抢占量产与技术优势。
市场调研数据显示，DDR5 世代更替已近尾声，服务器领域 DDR5 市场占比已超 80%，年内有望升至 90%。与之相对，DDR4 市场份额持续萎缩至 20% 以下，新增采购需求锐减，行业已普遍讨论 DDR4 逐步减产、停产事宜，经典内存规格即将淡出主流舞台。
业内分析认为，AI 服务器算力需求爆发，是倒逼 DDR6 研发提速的核心原因。海量数据吞吐与高带宽需求，让现有 DDR5 逐渐触及性能瓶颈。行业预估，DDR6 将在2028 至 2029 年实现商用落地，优先适配 AI 数据中心，后续逐步下沉至 PC、消费电子等市场，开启内存性能新时代。
